收藏本站
NTF3055L108, NVF3055L108
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
6
5
V GS = 3.5 V
V GS = 3.4 V
6
5
V DS > = 10 V
4
V GS = 4.5 V
V GS = 3.2 V
4
3
2
1
V GS = 6 V
V GS = 10 V
V GS = 3 V
V GS = 2.8 V
V GS = 2.5 V
3
2
1
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
V GS = 5 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.04
0.04
0.02
0
1
2
3
4
5
6
0.02
0
1
2
3
4
5
6
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2
1.8
1.6
I D = 1.5 A
V GS = 5 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
100
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTF3055L175T1 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
NTF5P03T3G MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
NTF6P02T3G MOSFET PWR P-CHAN 10A 20V SOT223
NTGD3133PT1G MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP
NTGD3147FT1G MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
NTGD3148NT1G MOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP
NTGD3149CT1G MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOP
NTGD4161PT1G MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP
相关代理商/技术参数
NTF3055L175 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T1 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTF3055L175T1G 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTF3055L175T3 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTF3055L175T3G 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTF3055L175T3LF 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTF3055L175T3LFG 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3226E 制造商:SRNTEL 功能描述: